Infineon invierte cerca de 35 millones de euros en un centro de I+D en Taiwán

Infineon invierte cerca de 35 millones de euros en un centro de I+D en Taiwán
Infineon invierte cerca de 35 millones de euros en un centro de I+D en Taiwán
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Este centro de I+D, el primero de un actor europeo en semiconductores en Taiwán, se dedicará a las comunicaciones inalámbricas para automóviles.

El 17 de junio, el Ministerio de Economía de Taiwán anunció un acuerdo firmado con Tecnologías Infineon para que este último abra un centro de I+D en Taiwán sobre semiconductores y comunicaciones inalámbricas dedicado a aplicaciones de automoción.

Sam Geha, vicepresidente ejecutivo de Infineon Technologies, y Kuo Jyh-huei, ministro de Economía de Taiwán – © Taian Ministry of Economic Affairs (MOEA)

Según Kuo Jyh-huei, Ministro de Economía de Taiwán, este es el primer centro de I+D de este tipo establecido en Taiwán por un actor europeo de semiconductores. Se espera que Infineon invierta 1.200 millones de dólares taiwaneses (casi 35 millones de euros) en este proyecto y se beneficie de una subvención del gobierno local de 480 millones de dólares taiwaneses (unos 14 millones de euros).

Con motivo de la firma del acuerdo, Sam Geha, vicepresidente ejecutivo de Infineon a cargo de IoT, TI y negocios inalámbricos, dijo “Impresionado por el ecosistema de innovación particularmente dinámico de Taiwán, gracias a su talento altamente calificado en I+D y sus fuertes clusters industriales”justificando así la elección de Taiwán, donde el grupo alemán también está presente desde hace 25 años.

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